Автоматизоване проектування одноелектронних наносхем

Автор(и)

  • О. С. Мельник Національний авіаційний університет
  • В. О. Козаревич Національний авіаційний університет
  • В. В. Івахнюк Національний авіаційний університет

DOI:

https://doi.org/10.18372/2073-4751.2.7714

Ключові слова:

наноелектроніка, одноелектронні схеми, мажоритарні елементи

Анотація

Запропоновано наносхему на базі одноелектронних транзисторів з використанням пятивходового мажоритарного елементу для комп’ютерного моделювання повного однорозрядного суматора

Біографія автора

О. С. Мельник, Національний авіаційний університет

к.т.н.; доц.

Посилання

Likhаrev K. K. 1999. Singleelectron devices and their application. Proc. Of IEEE 87. Р.606–632.

Zardalidis G. T. 2002. A singleelectron half-adder. Microelectronics journal no. 33. Р. 265–269.

Amir Sahafi, Keivan Navi, “A novel five-input configurable cell based on single electron transistor minority gates”.

Young M. 1999. The Technical Writer’s Handbook. Mill Valley, CA: University Science.

Wasshuber C. 1997. SIMON – A simulator for single-electron tunnel and circuits. IEEE Trans. On Computer aided design, 16. Р. 937–944.

Пакулов Н. И. Мажоритарный принцип построения надежных узлов и устройств ЦВМ/Н. И. Пакулов. – М.: Сов. радио, 1974, – 184 с.

##submission.downloads##

Опубліковано

2014-06-11

Номер

Розділ

Статті