ВПЛИВ ОПРОМІНЕННЯ ШВИДКИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ НА ВЛАСТИВОСТІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ

Автор(и)

  • В. А. Завадський Одеська морська академія
  • В. В. Зубарєв Міністерство політики України
  • С. В. Лєнков Державна комісія з питань ППК України
  • Г. Т. Тарієлашвілі ОАО “Укртелеком”)

DOI:

https://doi.org/10.18372/2306-1472.15.15274

Анотація

Наведено результати експериментальних досліджень характеру впливу опромінення швидкими електронами на основні характеристики арсеніду галію-одного з перспективних матеріале для бортової електроніки.

Біографії авторів

В. А. Завадський, Одеська морська академія

канд. техн. наук, доцент

В. В. Зубарєв, Міністерство політики України

канд. техг. наук, старш. наук. співробітник

С. В. Лєнков, Державна комісія з питань ППК України

д-р техн. наук., професор

Г. Т. Тарієлашвілі, ОАО “Укртелеком”)

нач. відділу

Посилання

Зубарев В. В., Мокрицькиіі В. А., Салімов Р. М., Савельев А. В. Радіаційна модифікація параметрів та вивчення стійкості напівпровідникових виробів електронної техніки для космічної апаратури // Нац. акад. оборони України: Тр. акад. - К., 2002. - №39. - С. 293-294.

Уваров Е. Ф. Элекгрофизические свойства полупроводниковых соединений АЗВ5, облученных быстрыми электронами и нейтронами // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. - 1979. - С. 68.

Як цитувати

Завадський, В. А., Зубарєв, В. В., Лєнков, С. В., & Тарієлашвілі, Г. Т. (2021). ВПЛИВ ОПРОМІНЕННЯ ШВИДКИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ НА ВЛАСТИВОСТІ АРСЕНІДУ ГАЛІЮ. Вісник Національного авіаційного університету, 15(4), 50–51. https://doi.org/10.18372/2306-1472.15.15274

Номер

Розділ

Сучасні авіаційно-космічні технології

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають