Radiation-thermal adjustment of properties of gallium arsenide
DOI:
https://doi.org/10.18372/2306-1472.16.11633Abstract
The outcomes of researches of a possibility of adjustment of parameters and characteristics of electronic devices on a bottom to gallium arsenide are presented which is used in radio electronic elements of an onboard equipment. The experimental data, concerning management of properties of undercoats of spheres of gallium arsenide are indicated at the expense of an exposure by neutrons and subsequent annealingReferences
Савин Э.П., Болтакс Г.И. Влияние нейтронного облучения на диффузию цинка в ИндийАрсенит и ГалийАрсенит // ФТП. - 1971. - Т. 5, № 7. - С13/31.
Уваров Е. Ф. Электротехнические свойства полупроводниковых соединений А3Б5, облучаемых быстрыми электронами и нейтронами // Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы. - М.: ЦНИИ Электроники, 1979.-Вып. 9.-68 с.
Ленков С.В., Мокрицкий В.А., Перегузов Д.А., Тарцелашвши Г.Т. Физико-технические основы радиационной технологии полупроводников. - Одесса: Астропринт. - 2002. - 300 с.
Заводський В.А., Зубарев В.В., Ленков С.В., Тарієлашвілі Г.Т. Вплив опромінення швидкими електронами на властивості арсеніду галію // Вісн. НАУ. - 2002. - №4. - С. 50-51.
Зубарев В.В., Мокрщький В.А., Салімов Р.М., Савельев А.В. Радіаційна модифікація параметрів та вивчення стійкості напівпровідникових виробів електронної техніки для космічної апаратури 11 Нац. акад. оборони України. Тр. Акад. - К.: 2002. - №39. - С. 293-294.
Мокрицкий В.А., Завадский В.А. Влияние радиационной обработки на параметры интегральных преобразователей температуры // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2001. - № 1. - С. 25-27.
