INFLUENCE OF SPEED ELECTRON RADIATION ON THE PROPERTIES OF GALIUM ARSENID
DOI:
https://doi.org/10.18372/2306-1472.15.15274Abstract
The results of experimental studies of the nature of the influence of fast electron irradiation on the main characteristics of gallium arsenide, one of the promising materials for onboard electronics, are presented.References
Зубарев В. В., Мокрицькиіі В. А., Салімов Р. М., Савельев А. В. Радіаційна модифікація параметрів та вивчення стійкості напівпровідникових виробів електронної техніки для космічної апаратури // Нац. акад. оборони України: Тр. акад. - К., 2002. - №39. - С. 293-294.
Уваров Е. Ф. Элекгрофизические свойства полупроводниковых соединений АЗВ5, облученных быстрыми электронами и нейтронами // Обзоры по электронной технике. Сер. Материалы. - 1979. - С. 68.
Downloads
How to Cite
Завадський, В. А., Зубарєв, В. В., Лєнков, С. В., & Тарієлашвілі, Г. Т. (2021). INFLUENCE OF SPEED ELECTRON RADIATION ON THE PROPERTIES OF GALIUM ARSENID. Proceedings of National Aviation University, 15(4), 50–51. https://doi.org/10.18372/2306-1472.15.15274
Issue
Section
MODERN AVIATION AND SPACE TEHNOLOGY