Моделювання впливу параметрів основних компонентів джерел опорної напруги на вихідну напругу
DOI:
https://doi.org/10.18372/2073-4751.63.15002Ключові слова:
Джерело опорної напруги, КМОН технологія, температурна залежність, температурний коефіцієнтАнотація
Метою дослідження є розробка моделі джерела опорної напруги, що здатна промоделювати вплив параметрів основних структурних складових ДОН на точність і температурну стабільність вихідної напруги.В статті проведено аналіз сучасного стану джерел опорної напруги в інтегральних мікросхемах. Встановлено, що це є одним із основних блоків кожної мікросхеми. З’ясовано, що до ДОН висувають ряд вимог: вони повинні володіти низькою чутливістю до зміни напруги живлення, температури, та до відхилень параметрів технологічного процесу виготовлення. При цьому ДОН повинні працювати при напрузі живлення рівній або меншій 1 В, щоб відповідати сучасним аспектам застосування. Запропоновано можливий підхід до побудови джерела опорної напруги, що має температуро незалежну вихідну напругу і здатне працювати при напрузі живлення рівній або меншій 1 В. Дане рішення має можливість реалізації в стандартній КМОН технології виготовлення інтегральних схем. Проведено аналіз можливих джерел похибки, що погіршують точність вихідної напруги джерела опорної напруги. Встановлено, що найбільш сильно на точність вихідної напруги впливає напруга зміщення операційних підсилювачів. Запропоновано ідеалізовану модель, що містить ідеальні резистори і операційні підсилювачі – компоненти, що найбільш сильно впливають на точність і стабільність вихідної напруги ДОН. Розроблено модель операційного підсилювача, що здатна моделювати вхідний струм зміщення, вхідну напругу зміщення, вхідний опір, диференційний коефіцієнт підсилення, вихідний опір, частотну залежність операційного підсилювача. Досліджено вплив коефіцієнту підсилення по напрузі, частотної смуги пропускання, вихідного опору операційного підсилювача, вхідної напруги зміщення на номінальну вихідну напругу і на температурний коефіцієнт. Проведено регресійний аналіз для відображення у вигляді поліному 4-го порядку вигляду температурну залежність генерованих в схемі струмів. Що дозволяє вибрати коректні значення коефіцієнтів передачі струму у струмових дзеркалах для зменшення температурної залежності вихідної напруги.
Посилання
Джерело опорної напруги. [Елек-тронний ресурс] – Режим доступу: https://en.wikipedia.org/wiki/Voltage_reference.
K. N. Leung and K. T. Mok, “A sub-1-V 15-ppm/C CMOS bandgap voltage ref-erence without requiring low threshold volt-age device,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 37. – №. 4. – P. 526–529, Apr. 2002.
H. Neuteboom, B. M. J. Kup, and M. Janssens, “A DSP-based hearing instru-ment IC,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 32. – №. 11. – P. 1790–1806, Nov. 1997.
P. Malcovati, F. Maloberti, M. Pruz-zi, and C. Fiocchi, “Curvature compensated BiCMOS bandgap with 1-V supply voltage,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 36. – №. 7. – P. 1076–1081, Jul. 2001.
G. A. Rincon-Mora, Voltage Refer-ence-From Diodes to Precision High-Order Bandgap Circuits. – New York: Wiley, 2002.
Стала Больцмана. [Електронний ресурс] – Режим доступу: https://bit.ly/-36AxwFl.
Цимбал О. В. Методи компенсації температурної залежності вихідної напру-ги в джерелах опорної напруги інтегра-льних мікросхем / Електронна і акустична інженерія. – Том 3, №1. –К.:КПІ ім. І. Сі-корського, 2020. – С.23-28.
Guang Ge, Cheng Zhang, Gian Hoogzaad, Kofi A. A. Makinwa. “A Single-Trim CMOS Bandgap Reference With a 3σ Inaccuracy of ±0.15% From −40C to 125C,” IEEE Journal of Solid-State Circuits (Vol-ume: 46, Issue: 11, Nov. 2011.)
Paul Brokaw, “How to Make a BANDGAP VOLTAGEREFERENCE in ONE EASY Lesson A». Integrated Device Technology, 2011.
Precision voltage references/ [Електронний ресурс] – Режим доступу https://bit.ly/3eW7PTD/.
Monte Carlo Simulation. [Елект-ронний ресурс] – Режим доступу: https://bit.ly/38MVW1j.
Linear Regression. Help Center MathWork. [Електронний ресурс] – Режим доступу: https://bit.ly/3nm8P6d.
##submission.downloads##
Номер
Розділ
Ліцензія
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).