Комп’ютерне моделювання характеристик одноелектронних транзисторів

O. S. Melnyk, Y. V. Poliakov, A. O. Kosov

Анотація


Розроблено методи моделювання електричних та температурних характеристик одноелектронного транзистора для інформаційного забезпечення системи автоматизованого схемотехнічного проектування Electronics Workbench. Проаналізовано залежність вольт-амперних характеристик наноприладу від впливу температури таробочого режиму

Ключові слова


одноелектронні транзистори; моделювання; вольт-амперні характеристики

Посилання


S. W. Hwang, KOSEC developed at Nanoelectronics Laboratory in Korea University. Seoul, Korea, 2008. 825 p.

Y. S. Yu, “Modeling of Single-Electron Transistors for Efficient Circuit and Design.” IEEE Trans. Electron. Devices. 1999, no. 7, pp. 1667–1682.


Повний текст: PDF

Посилання

  • Поки немає зовнішніх посилань.


ISSN 1990-5548

Creative Commons License
This work is licensed under a Creative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 Unported License.