ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ НА МЕЖІ ЕЛЕКТРОД-ДІЕЛЕКТРИК

Автор(и)

  • О.М. Зубченко
  • Л.І. Павлюх

DOI:

https://doi.org/10.18372/2306-1472.33.1517

Анотація

 Показано, що, притягаючи сусідні частинки діелектрика, іон зменшує потенційний бар’єр між нейтральними частинками діелектрика та іоном, сприяючи надбар’єрному переходу низькоенергетичних (теплових) електронів.

Біографії авторів

О.М. Зубченко

канд. техн. наук, доц.

Л.І. Павлюх

асп.

Посилання

Олофинский Н.Ф. Электрические методы обогащения. – М.: Недра, 2002. – 518 с.

Калашников С.Г. Электричество. – М.: Наука, 1995. – 640 с.

Матвеев А.Н.. Электричество и магнетизм. – М.: Высш. шк., 1993. – 463 с.

Эрдей-Груз Т. Основы строения материи. – М.: Мир, 1997. – 438 с.

Радциг А.А., Смирнов Б.М. Справочник по атомной и молекулярной физике. – М.: Атоиздат, 1999. – 240 с.

Справочник химика. Т. 1. – М.-Л.: Госхимиздат, 1983. – 420 с.

Downloads

Як цитувати

Зубченко, О., & Павлюх, Л. (2007). ДОСЛІДЖЕННЯ ПРОЦЕСІВ НА МЕЖІ ЕЛЕКТРОД-ДІЕЛЕКТРИК. Вісник Національного авіаційного університету, 33(3-4), 161–165. https://doi.org/10.18372/2306-1472.33.1517

Номер

Розділ

Аеропорти та їх інфраструктура

Статті цього автора (авторів), які найбільше читають