Інвертор автоматизованої системи визначення характеристик напівпровідникових приладів

Автор(и)

  • O. V. Statsenko Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»
  • Ye. L. Shylin Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

DOI:

https://doi.org/10.18372/1990-5548.56.12942

Ключові слова:

Визначення вольт-амперних характеристик, напівмостовий інвертор, комп’ютерне моделювання

Анотація

Дана стаття присвячена вирішенню питань побудови інвертора для автоматизованої системи визначення вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів. В статті розглянута структура такої системи та запропоновано для регулювання тестової напруги використовувати напівмостовий інвертор з індуктивно-ємнісним фільтром. Для керування вихідним струмом такого інвертору запропоновано використати релейне регулювання, а керування вихідною напругою запропоновано здійснювати опосередковано через регулювання струму. Розроблено структуру пристрою керування таким інвертором, що реалізує запропонований підхід до керування. З використанням програмного середовища MATLAB Simulink побудована віртуальна модель інвертору та пристрою керування ним. Проведені дослідження роботи розробленої системи при визначені вольт-амперної характеристики напівпровідникового діоду. Отримані результати підтвердили працездатність запропонованого підходу.

Біографії авторів

O. V. Statsenko, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

Кафедра автоматизації експериментальних досліджень, Факультет авіаційних і космічних систем

Кандидат технічних наук. Доцент

Ye. L. Shylin, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

Кафедра автоматизації експериментальних досліджень, Факультет авіаційних і космічних систем

Студент

Посилання

A. I. Lebedev, Physics of semiconductor devices. Moscow: Fizmatlit, 2008, 488 p.

V. V. Pasynkov, andL. K. Chirkin, Semiconductor Devices. Moscow: Vysshaya shkola, 1987, 479 p.

V. L. Aronov, and Ya. A. Fedotov, Testing and research of semiconductor devices. Training manual for specialties of semiconductor technology at universities. Moscow: Vysshaya shkola, 1975, 326 p.

V. G. Gusev, and Yu. M. Gusev, Electronics. Moscow: Vysshaya shkola, 1991, 622 p.

A. S. Glinchenko, N. M. Yegorov, V. A. Komarov, and A. V. Sarafanov, Investigation of parameters and characteristics of semiconductor devices using Internet technologies. Moscow: DMK press. Elektronnyye knigi, 2013, 351 p.

V. I. Meleshin, Transistor Conversion Technology. Moscow: Tekhnosfera, 2006, 632 p.

S. G. German-Galkin, Computer modeling of semiconductor systems in Matlab 6.0: Proc. allowance. Saint Petersburg: KORONA print, 2001, 320 p.

##submission.downloads##

Номер

Том 2 № 56 (2018)

Розділ

МАТЕМАТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСІВ ТА СИСТЕМ

Ліцензія

Автори, які публікуються в цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

Автори зберігають авторські права та надають журналу право першої публікації роботи, одночасно ліцензованої за ліцензією Creative Commons Attribution License, яка дозволяє іншим поширювати роботу з посиланням на авторство роботи та її першу публікацію в цьому журналі.

Автори можуть укладати окремі додаткові договірні угоди щодо неексклюзивного розповсюдження опублікованої в журналі версії роботи (наприклад, розміщувати її в інституційному репозиторії або публікувати в книзі) з посиланням на її першу публікацію в цьому журналі.

Авторам дозволяється та заохочується розміщувати свої роботи онлайн (наприклад, в інституційних репозиторіях або на своєму вебсайті) до та під час процесу подання, оскільки це може призвести до продуктивного обміну, а також до більш раннього та більшого цитування опублікованих робіт (див. Вплив відкритого доступу).