Інвертор автоматизованої системи визначення характеристик напівпровідникових приладів

Автор(и)

  • O. V. Statsenko Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»
  • Ye. L. Shylin Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

DOI:

https://doi.org/10.18372/1990-5548.56.12942

Ключові слова:

Визначення вольт-амперних характеристик, напівмостовий інвертор, комп’ютерне моделювання

Анотація

Дана стаття присвячена вирішенню питань побудови інвертора для автоматизованої системи визначення вольт-амперних характеристик напівпровідникових приладів. В статті розглянута структура такої системи та запропоновано для регулювання тестової напруги використовувати напівмостовий інвертор з індуктивно-ємнісним фільтром. Для керування вихідним струмом такого інвертору запропоновано використати релейне регулювання, а керування вихідною напругою запропоновано здійснювати опосередковано через регулювання струму. Розроблено структуру пристрою керування таким інвертором, що реалізує запропонований підхід до керування. З використанням програмного середовища MATLAB Simulink побудована віртуальна модель інвертору та пристрою керування ним. Проведені дослідження роботи розробленої системи при визначені вольт-амперної характеристики напівпровідникового діоду. Отримані результати підтвердили працездатність запропонованого підходу.

Біографії авторів

O. V. Statsenko, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

Кафедра автоматизації експериментальних досліджень, Факультет авіаційних і космічних систем

Кандидат технічних наук. Доцент

Ye. L. Shylin, Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського»

Кафедра автоматизації експериментальних досліджень, Факультет авіаційних і космічних систем

Студент

Посилання

A. I. Lebedev, Physics of semiconductor devices. Moscow: Fizmatlit, 2008, 488 p.

V. V. Pasynkov, andL. K. Chirkin, Semiconductor Devices. Moscow: Vysshaya shkola, 1987, 479 p.

V. L. Aronov, and Ya. A. Fedotov, Testing and research of semiconductor devices. Training manual for specialties of semiconductor technology at universities. Moscow: Vysshaya shkola, 1975, 326 p.

V. G. Gusev, and Yu. M. Gusev, Electronics. Moscow: Vysshaya shkola, 1991, 622 p.

A. S. Glinchenko, N. M. Yegorov, V. A. Komarov, and A. V. Sarafanov, Investigation of parameters and characteristics of semiconductor devices using Internet technologies. Moscow: DMK press. Elektronnyye knigi, 2013, 351 p.

V. I. Meleshin, Transistor Conversion Technology. Moscow: Tekhnosfera, 2006, 632 p.

S. G. German-Galkin, Computer modeling of semiconductor systems in Matlab 6.0: Proc. allowance. Saint Petersburg: KORONA print, 2001, 320 p.

##submission.downloads##

Номер

Том 2 № 56 (2018)

Розділ

МАТЕМАТИЧНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ПРОЦЕСІВ ТА СИСТЕМ

Ліцензія

Authors who publish with this journal agree to the following terms:

Authors retain copyright and grant the journal right of first publication with the work simultaneously licensed under a Creative Commons Attribution License that allows others to share the work with an acknowledgement of the work's authorship and initial publication in this journal.

Authors are able to enter into separate, additional contractual arrangements for the non-exclusive distribution of the journal's published version of the work (e.g., post it to an institutional repository or publish it in a book), with an acknowledgement of its initial publication in this journal.

Authors are permitted and encouraged to post their work online (e.g., in institutional repositories or on their website) prior to and during the submission process, as it can lead to productive exchanges, as well as earlier and greater citation of published work (See The Effect of Open Access).